AOD512详细
MOSFET N CH 30V 70A TO252
AOD512参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):70A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.4 毫欧 @ 20A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):64nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3430pF @ 15V,功率 - 最大值:2.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63,供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)